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IBM 高性能, 省電力のトランジスタ技術 IBMは、チップの高性能化と低消費電力化を可能とするトランジスタ製造技術を明らかにした。IBMでは、Strained SiliconとSOI技術を組み合わせた、"Strained silicon directly on insulator" (SSDOI) 技術を用いた初のトランジスタを開発したという。これにより、20-30%の高性能化が見込めるとされている。Strained Siliconは電子の移動速度を高速化する技術で、IntelのPrescottなどに採用される。一方のSOIはリーク電流や容量成分を抑える技術で、AMDのOpteronやAthlon 64に使用されている。 Source: SiliconStrategies
September 9, 2003 | ||