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AMD 最速トランジスタ技術の詳細を発表 AMDは、現時点で最速となるトランジスタの詳細を発表した。このトランジスタは、完全空乏型SOI (fully-depleted SOI) 技術を用い、現行のPMOSトランジスタと比べ最大30%高速であるという。また、Strained Siliconとメタルゲート技術を組み合わせ、従来のNMOS Strained Siliconトランジスタよりも20-25%高速となるトランジスタについても発表している。 AMDではこれらの新トランジスタにおいて、ゲート部分の材料として一般的なポリシリコンではなくニッケルシリサイド (NiSi) を採用しメタルゲートを作製することで、ゲート伝導率を高めたとされる。また、FDSOIを用いることで電流のリークや容量成分を削減し、高い性能を得ているという。AMDではFDSOIと、Strained Siliconトランジスタのプレゼンテーション資料を公開している。 AMD website
June 12, 2003 | ||