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AMD 世界最速のトランジスタ AMDは、現在のPMOSトランジスタに対し最大30%高速な高性能トランジスタを開発したと発表した。このトランジスタはFully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI)技術を用いて製造され、ゲート長は25nm、シリコンチャネルの厚さは7-10nmになるとされる。AMDではまた、従来のStrainedシリコンデバイスに比べ20-25%高性能となる、メタルゲートを用いたStrainedシリコントランジスタを明らかにしたという。なお、これら最新の研究結果は6月のVLSIシンポジウムで発表される。 AMD website
April 2, 2003 | ||